表面安装

YES

终端数量

86

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

3

2000000

PLASTIC/EPOXY

TSSOP86,.46,20

40

5.5 ns

70 °C

Yes

K4S643232H-UC60

166 MHz

2097152 words

3.3 V

TSSOP

RECTANGULAR

Samsung Semiconductor

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.52

JESD-609代码

e6

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn97Bi3)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G86

资历状况

Not Qualified

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.15 mA

组织结构

2MX32

输出特性

3-STATE

内存宽度

32

待机电流-最大值

0.002 A

记忆密度

67108864 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

SYNCHRONOUS DRAM

刷新周期

4096

顺序突发长度

1,2,4,8,FP

交错突发长度

1,2,4,8