表面安装

YES

终端数量

78

FBGA, BGA78,9X13,32

GRID ARRAY, FINE PITCH

256000000

PLASTIC/EPOXY

BGA78,9X13,32

0.255 ns

85 °C

Yes

K4B2G0846D-HCH9

667 MHz

268435456 words

1.5 V

FBGA

RECTANGULAR

Samsung Semiconductor

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.79

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B78

资历状况

Not Qualified

电源

1.5 V

温度等级

OTHER

电源电流-最大值

0.135 mA

组织结构

256MX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.012 A

记忆密度

2147483648 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

8

交错突发长度

8