表面安装

YES

终端数量

54

TSOP2, TSOP54,.46,32

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

3

16000000

PLASTIC/EPOXY

TSOP54,.46,32

-40 °C

NOT SPECIFIED

5.4 ns

85 °C

Yes

K4S561632J-UI75

133 MHz

16777216 words

3.3 V

TSOP2

RECTANGULAR

Samsung Semiconductor

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.82

JESD-609代码

e6

无铅代码

Yes

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn97Bi3)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G54

资历状况

Not Qualified

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.18 mA

组织结构

16MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.002 A

记忆密度

268435456 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

SYNCHRONOUS DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

1,2,4,8,FP

交错突发长度

1,2,4,8

访问模式

FOUR BANK PAGE BURST

自我刷新

YES

宽度

10.16 mm

长度

22.22 mm