![K4S561632E-UC75](https://res.utmel.com/Images/category/Integrated Circuits (ICs).png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
54
TSOP2, TSOP54,.46,32
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
3
16000000
PLASTIC/EPOXY
TSOP54,.46,32
NOT SPECIFIED
5.4 ns
70 °C
Yes
K4S561632E-UC75
133 MHz
16777216 words
3.3 V
TSOP2
RECTANGULAR
Samsung Semiconductor
Obsolete
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
5.66
JESD-609代码
e6
无铅代码
Yes
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn96Bi4)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G54
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.18 mA
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SYNCHRONOUS DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
10.16 mm
长度
22.22 mm