表面安装

YES

终端数量

96

FBGA, BGA96,9X16,32

GRID ARRAY, FINE PITCH

3

64000000

PLASTIC/EPOXY

BGA96,9X16,32

NOT SPECIFIED

0.255 ns

Yes

K4B1G1646G-BCH9

667 MHz

67108864 words

1.5 V

FBGA

RECTANGULAR

Samsung Semiconductor

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

8.58

JESD-609代码

e1

无铅代码

Yes

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B96

资历状况

Not Qualified

电源

1.5 V

电源电流-最大值

0.17 mA

组织结构

64MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

1073741824 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8