表面安装

YES

终端数量

66

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

3

64000000

PLASTIC/EPOXY

TSSOP66,.46

NOT SPECIFIED

0.65 ns

70 °C

Yes

K4H510838C-UCCC

200 MHz

67108864 words

2.6 V

TSSOP

RECTANGULAR

Samsung Semiconductor

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.8

JESD-609代码

e6

无铅代码

Yes

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn97Bi3)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.635 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

Not Qualified

电源

2.6 V

温度等级

COMMERCIAL

组织结构

64MX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8