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RFD3055LESM
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
11A Tc
5V
1
38W Tc
22 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
11A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
38W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
107m Ω @ 8A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.3nC @ 10V
上升时间
105ns
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
39 ns
连续放电电流(ID)
11A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
60V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxElement Configuration
-
RFD3055LESM
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
11 A
11A (Tc)
16 V
38 W
38W (Tc)
Single
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-11 A
11A (Tc)
20 V
38 W
38W (Tc)
Single
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Surface Mount
TO-252-3
12 A
-
16 V
38 W
-
Single
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