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RFD3055LESM

型号:

RFD3055LESM

封装:

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

描述:

MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 11A Tc

  • 5V

  • 1

  • 38W Tc

  • 22 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 额定电流

    11A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    38W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    107m Ω @ 8A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    350pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    11.3nC @ 10V

  • 上升时间

    105ns

  • Vgs(最大值)

    ±16V

  • 下降时间(典型值)

    39 ns

  • 连续放电电流(ID)

    11A

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    16V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    Element Configuration
  • RFD3055LESM

    RFD3055LESM

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    11 A

    11A (Tc)

    16 V

    38 W

    38W (Tc)

    Single

  • IRFR9024NTRPBF

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    -11 A

    11A (Tc)

    20 V

    38 W

    38W (Tc)

    Single

  • HUF76407D3ST

    Surface Mount

    TO-252-3

    12 A

    -

    16 V

    38 W

    -

    Single