![NTY100N10G](https://static.esinoelec.com/200dimg/semiq-gpa042a100lnd-6213.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-264-3, TO-264AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
123A Tc
10V
1
313W Tc
340 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
100V
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
123A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
313W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10110pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
350nC @ 10V
上升时间
150ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
250 ns
连续放电电流(ID)
123A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
NTY100N10G PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :