![NTQS6463R2](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-pacdn044tr-1922.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
6.8A Ta
2.5V 4.5V
1
930mW Ta
90 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn90Pb10)
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
-20V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-6.8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.39W
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20m Ω @ 6.8A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 5V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
6.8A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.02Ohm
漏源击穿电压
-20V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
NTQS6463R2
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
6.8 A
6.8A (Ta)
12 V
1.39 W
930mW (Ta)
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
5.2 A
-
12 V
1 W
-
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
7.5 A
7.5A
12 V
1.6 W
-
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
20V
7.1 A
7.1A
12 V
1.6 W
-
-
Surface Mount
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
-
5.5 mA
5.5A
12 V
1 W
-
NTQS6463R2 PDF数据手册
- 数据表 :
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