![NTMS4917NR2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smda15cdr2g-1945.jpg)
NTMS4917NR2G
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 23 hours ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
7.1A Ta
4.5V 10V
1
880mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.28W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1054pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15.6nC @ 4.5V
上升时间
6.3ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
7.1A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxVgs (Max)
-
NTMS4917NR2G
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.1 A
7.1A (Ta)
20 V
1.28 W
880mW (Ta)
±20V
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.4 A
7.4A (Ta)
20 V
15.2 W
850mW (Ta)
±20V
-
Surface Mount
8-PowerTDFN, 5 Leads
7.8 A
7.8A (Ta)
20 V
2.2 W
1W (Ta)
±20V
-
Surface Mount
8-PowerTDFN, 5 Leads
7.8 A
7.8A (Ta)
20 V
2.2 W
1W (Ta)
±20V
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