![NTMS3P03R2G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smda15cdr2g-1945.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
2.34A Ta
4.5V 10V
1
730mW Ta
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
额定电流
-3.05A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
85m Ω @ 3.05A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
750pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
16ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
45 ns
连续放电电流(ID)
3.05A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.34A
漏源击穿电压
-30V
栅源电压
-1.7 V
反馈上限-最大值 (Crss)
135 pF
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
NTMS3P03R2G
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
3.05 A
2.34A (Ta)
20 V
2 W
730mW (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
30V
2.9 mA
2.9A
25 V
2 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
4 A
4A, 3A
20 V
1.4 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
3.7 A
3.7A, 2.9A
20 V
2 W
-
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
3.5 A
3.5A, 2.3A
20 V
2 W
-
NTMS3P03R2G PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :
- 到达声明 :