
NTMFS6B03NT1G
8-PowerTDFN
ON SEMICONDUCTOR NTMFS6B03NT1G MOSFET Transistor, N Channel, 132 A, 100 V, 0.0038 ohm, 10 V, 4 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
19A Ta 132A Tc
6V 10V
1
3.4W Ta 165W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4200pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
58nC @ 10V
上升时间
46ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
132A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0048Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
470A
高度
1.05mm
长度
6.1mm
宽度
5.1mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
NTMFS6B03NT1G
Surface Mount
8-PowerTDFN
100V
132 A
19A (Ta), 132A (Tc)
4 V
20 V
ROHS3 Compliant
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Surface Mount
8-PowerTDFN
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104 A
16A (Ta), 104A (Tc)
4 V
20 V
ROHS3 Compliant
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Surface Mount
8-PowerTDFN
40V
150 A
-
2 V
20 V
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
6-UDFN Exposed Pad
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8 A
8A (Ta)
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20 V
ROHS3 Compliant
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Surface Mount
8-PowerTDFN
-
50 A
10A (Ta), 50A (Tc)
4 V
20 V
ROHS3 Compliant
NTMFS6B03NT1G PDF数据手册
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