NTF5P03T3G
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
15 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
3.7A Ta
4.5V 10V
1
1.56W Ta
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
100MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-5.2A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.13W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 5.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 10V
上升时间
45ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
5A
阈值电压
-1.75V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.7A
漏源击穿电压
-30V
雪崩能量等级(Eas)
250 mJ
高度
1.65mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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3.7A (Ta)
3.7 A
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950pF @ 25V
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NTF5P03T3G PDF数据手册
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