![NTD85N02RT4](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ntd5867nlt4g-2631.jpg)
NTD85N02RT4
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
晶体管元件材料
SILICON
12A Ta 85A Tc
4.5V 10V
1
1.25W Ta 78.1W Tc
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
24V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
85A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.4W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.2m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2050pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17.7nC @ 5V
上升时间
77ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
85A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12A
漏极-源极导通最大电阻
0.0052Ohm
漏源击穿电压
24V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
192A
雪崩能量等级(Eas)
85 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
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NTD85N02RT4
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
85 A
12A (Ta), 85A (Tc)
20 V
2.4 W
1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
86 A
86A (Tc)
12 V
75 W
75W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
110 A
12.5A (Ta), 110A (Tc)
20 V
2.88 W
1.5W (Ta), 110W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 A
80A (Tc)
20 V
75 W
75W (Tc)
±20V
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
32 A
12A (Ta), 32A (Tc)
20 V
86 W
1.25W (Ta), 86W (Tc)
±20V
NTD85N02RT4 PDF数据手册
- 数据表 :
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