
NTD4860N-1G
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
10.4A Ta 65A Tc
4.5V 10V
1
1.28W Ta 50W Tc
22 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1308pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.5nC @ 4.5V
上升时间
17ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.3 ns
连续放电电流(ID)
12.6A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
65A
漏源击穿电压
25V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌Package / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxOperating TemperatureMoisture Sensitivity Level (MSL)
-
NTD4860N-1G
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
12.6 A
10.4A (Ta), 65A (Tc)
20 V
2 W
1.28W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
13.6 A
11.2A (Ta), 73A (Tc)
20 V
2 W
1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
14.6 A
12A (Ta), 78A (Tc)
20 V
2.1 W
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
12 A
10A (Ta), 63A (Tc)
20 V
2 W
1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NTD4860N-1G PDF数据手册
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