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NTD4856NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
13.3A Ta 89A Tc
4.5V 10V
1
1.33W Ta 60W Tc
27.2 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
GULL WING
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.14W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.7m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2241pF @ 12V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 4.5V
上升时间
22.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7.5 ns
连续放电电流(ID)
16.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
89A
漏极-源极导通最大电阻
0.0068Ohm
漏源击穿电压
25V
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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NTD4856NT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
16.8 A
13.3A (Ta), 89A (Tc)
20 V
2.14 W
1.33W (Ta), 60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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17.8 A
13A (Ta), 68A (Tc)
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1.39W (Ta)
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17.8 A
13A (Ta), 79A (Tc)
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2.6 W
1.4W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
14.6 A
12A (Ta), 78A (Tc)
20 V
2.1 W
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
1 (Unlimited)
NTD4856NT4G PDF数据手册
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