NTD40N03RT4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
7.8A Ta 32A Tc
4.5V 10V
1
1.5W Ta 50W Tc
16.7 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
12.6MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
25V
终端形式
GULL WING
额定电流
40A
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
4.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
16.5m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
584pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.78nC @ 4.5V
上升时间
19.5ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.5 ns
连续放电电流(ID)
45A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
32A
漏源击穿电压
25V
栅源电压
1.7 V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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39 W
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40 W
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30 A
30A (Ta)
20 V
75 W
75W (Tj)
±20V
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