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NTD23N03RT4G

型号:

NTD23N03RT4G

封装:

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

数据表:

NTD23N03R

描述:

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 3.8A Ta 17.1A Tc

  • 4V 5V

  • 1

  • 1.14W Ta 22.3W Tc

  • 9.9 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    25V

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    23A

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    22.3W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    2 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    45m Ω @ 6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    225pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.76nC @ 4.5V

  • 上升时间

    14.9ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    2 ns

  • 连续放电电流(ID)

    23A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3.8A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.06Ohm

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    Vgs (Max)
  • NTD23N03RT4G

    NTD23N03RT4G

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    23 A

    3.8A (Ta), 17.1A (Tc)

    20 V

    22.3 W

    1.14W (Ta), 22.3W (Tc)

    ±20V

  • NTD3055-150T4

    Surface Mount

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    9 A

    9A (Ta)

    20 V

    28.8 W

    1.5W (Ta), 28.8W (Tj)

    ±20V