![NTD18N06T4G](https://static.esinoelec.com/200dimg/littelfuseinc-mcr708at4g-9448.jpg)
NTD18N06T4G
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
18A Ta
10V
1
2.1W Ta 55W Tj
19 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
18A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
55W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
60m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
710pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.06Ohm
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
54A
雪崩能量等级(Eas)
72 mJ
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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17 mA
18A (Tc)
16 V
49 W
49W (Tc)
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-18.3 A
18.3A (Tc)
20 V
2.3 W
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Single
NTD18N06T4G PDF数据手册
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