NIF9N05CLT1G
TO-261-4, TO-261AA
Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
2.6A Ta
3V 10V
1
1.69W Ta
1.54 μs
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
107MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
电压 - 额定直流
52V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
2.6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.69W
箱体转运
DRAIN
箝位电压
52V
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 2.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
250pF @ 35V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 4.5V
上升时间
290ns
漏源电压 (Vdss)
59V
Vgs(最大值)
±15V
下降时间(典型值)
290 ns
连续放电电流(ID)
2.6A
阈值电压
1.75V
栅极至源极电压(Vgs)
15V
漏源击穿电压
52V
双电源电压
52V
栅源电压
1.75 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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NIF9N05CLT1G
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NIF9N05CLT1G PDF数据手册
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