![MJD243T4](https://static.esinoelec.com/200dimg/littelfuseinc-mcr708at4g-9448.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100V
1
40
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2007
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 额定直流
100V
最大功率耗散
1.4W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
4A
频率
40MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MJD243
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
12.5W
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
40MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 200mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 50mA, 500mA
转换频率
40MHz
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power Dissipation
-
MJD243T4
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
100 V
4 A
40 MHz
600 mV
40
1.4 W
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
100 V
4 A
180 MHz
400 mV
-
1 W
-
Surface Mount
TO-252-3
60 V
3 A
50 MHz
-
560
1 W
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
80 V
8 A
50 MHz
1 V
60
1.75 W
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
100 V
3 A
-
1.2 V
10
1.56 W
MJD243T4 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- 到达声明 :