![KSH44H11TM](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-fan1581d15x-1593.jpg)
KSH44H11TM
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
80V
1
60
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
1.75W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
8A
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
KSH44H11
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
功率耗散
1.75W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 4A 1V
最大集极截止电流
10μA
JEDEC-95代码
TO-252AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 400mA, 8A
转换频率
50MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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KSH44H11TM PDF数据手册
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