![BCP53T1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-mcr08bt1-2415.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
-80V
1
25
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-80V
最大功率耗散
1.5W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-15A
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BCP53
引脚数量
4
元素配置
Single
功率耗散
1.5W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.651mm
长度
6.6802mm
宽度
3.7084mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
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BCP53T1G
TO-261-4, TO-261AA
-80 V
1.5 A
50 MHz
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25
1.5 W
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BCP53T1G PDF数据手册
- 数据表 : BCP53 Series BCP53T1G-ON-Semiconductor-datasheet-532296.pdf BCP53T1G-ON-Semiconductor-datasheet-62289824.pdf BCP53T1G-ON-Semiconductor-datasheet-10329372.pdf BCP53T1G-ON-Semiconductor-datasheet-37114056.pdf BCP53T1G-ON-Semiconductor-datasheet-9601513.pdf BCP53T1G-ON-Semiconductor-datasheet-14064360.pdf BCP53T1G-ON-Semiconductor-datasheet-11520513.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :