BC846BLT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
65V
1
200
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
类型
General Purpose
电压 - 额定直流
65V
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
100mA
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
600mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
65V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
噪声图
10 dB
高度
940μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power DissipationPower Dissipation
BC846BLT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
65 V
100 mA
100 MHz
600 mV
200
300 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
65 V
100 mA
100 MHz
600 mV
200
300 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
65 V
100 mA
100 MHz
600 mV
110
300 mW
300 mW
SOT-23-3
60 V
100 mA
-
350 mV
250
225 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
50 V
100 mA
-
-
20
200 mW
-
BC846BLT1G PDF数据手册
- 数据表 : BC,SBC846ALT1G Series BC846BLT1G-ON-Semiconductor-datasheet-8324740.pdf BC846BLT1G-ON-Semiconductor-datasheet-10854521.pdf BC846BLT1G-ON-Semiconductor-datasheet-5339073.pdf BC846BLT1G-ON-Semiconductor-datasheet-9755513.pdf BC846BLT1G-ON-Semiconductor-datasheet-7543137.pdf BC846BLT1G-ON-Semiconductor-datasheet-14064326.pdf BC846BLT1G-ON-Semiconductor-datasheet-78758852.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :