MMBTA56LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
-80V
1
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-80V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
-500mA
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMBTA56
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
300mW
功率 - 最大
225mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
50MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
高度
1.016mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power DissipationPower Dissipation
MMBTA56LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-80 V
500 mA
50 MHz
-250 mV
100
225 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
60 V
500 mA
50 MHz
-250 mV
100
225 mW
300 mW
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
50 V
500 mA
200 MHz
-
100
200 mW
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
80 V
500 mA
50 MHz
-250 mV
100
225 mW
300 mW
SOT-23-3
60 V
500 mA
50 MHz
-250 mV
100
225 mW
300 mW
MMBTA56LT1G PDF数据手册
- 数据表 : MMBTA55L_56L, SMMBTA56L Series MMBTA56LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-11621205.pdf MMBTA56LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-548277.pdf MMBTA56LT1G.-ON-Semiconductor-datasheet-93401971.pdf MMBTA56LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-9816818.pdf MMBTA56LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-7627526.pdf MMBTA56LT1G-ON-Semiconductor-datasheet-14065306.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- 到达声明 :