规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
80V
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
800mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BSP52
引脚数量
4
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
800mW
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
2000 @ 500mA 10V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1.3V @ 500μA, 500mA
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
90V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
1A
高度
1.57mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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BSP52T1G
TO-261-4, TO-261AA
NPN
80 V
1 A
1.3 V
800 mW
800 mW
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TO-261-4, TO-261AA
NPN
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TO-261-4, TO-261AA
-
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1 A
500 mV
1.5 W
1.5 W
3.5 mm
TO-261-4, TO-261AA
-
80 V
1 A
500 mV
1.5 W
1.5 W
3.5 mm
BSP52T1G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :