![MBT3906DW1T1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smf05ct1g-6409.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
40V
2
60
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-40V
最大功率耗散
150mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-200mA
频率
250MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBT3906D
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
Halogen Free
增益带宽积
250MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
关断时间-最大值(toff)
300ns
接通时间-最大值(ton)
70ns
高度
1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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MBT3906DW1T1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PNP
40 V
200 mA
-400 mV
60
150 mW
150 mW
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN, PNP
50 V
100 mA
250 mV
3
250 mW
187 mW
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NPN, PNP
50 V
100 mA
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160
250 mW
187 mW
-
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50 V
100 mA
-
60
250 mW
250 mW
MBT3906DW1T1G PDF数据手册
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- 环境信息 :
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- PCN 组装/原产地 :