BC857CDW1T1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ON SEMICONDUCTOR - BC857CDW1T1G - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
45V
2
420
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-45V
最大功率耗散
380mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC857CD
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
380mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.1mm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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BC857CDW1T1G PDF数据手册
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