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BC847BPDXV6T1G

型号:

BC847BPDXV6T1G

封装:

SOT-563, SOT-666

描述:

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 45V

  • 2

  • 200

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    357mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    100mA

  • 频率

    100MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BC847BPD

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    500mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    600mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    45V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 高度

    600μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Polarity
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Transition Frequency
    Collector Emitter Saturation Voltage
    hFE Min
    Max Power Dissipation
  • BC847BPDXV6T1G

    BC847BPDXV6T1G

    SOT-563, SOT-666

    NPN, PNP

    45 V

    100 mA

    100 MHz

    600 mV

    200

    357 mW

  • SBC847BPDXV6T1G

    SOT-563, SOT-666

    NPN

    45 V

    100 mA

    100 MHz

    600 mV

    420

    500 mW

  • BC847CDXV6T1G

    SOT-563, SOT-666

    NPN, PNP

    45 V

    100 mA

    100 MHz

    250 mV

    200

    500 mW

  • BC847CDXV6T5

    SOT-563, SOT-666

    NPN

    45 V

    100 mA

    100 MHz

    600 mV

    270

    500 mW