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NST3946DXV6T1G

型号:

NST3946DXV6T1G

封装:

SOT-563, SOT-666

数据表:

NST3946DXV6T1,5

描述:

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT563

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 40V

  • 2

  • 40

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    40V

  • 最大功率耗散

    500mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 额定电流

    200mA

  • 频率

    300MHz

  • 基本部件号

    NST3946D

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    500mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    300MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    40V

  • 最大集电极电流

    200mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 10mA 1V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

  • 转换频率

    300MHz

  • 最大击穿电压

    40V

  • 频率转换

    300MHz 250MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    60V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 接通时间-最大值(ton)

    70ns

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Polarity
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Frequency - Transition
    Transition Frequency
    Collector Emitter Saturation Voltage
    hFE Min
    Max Power Dissipation
  • NST3946DXV6T1G

    NST3946DXV6T1G

    SOT-563, SOT-666

    NPN, PNP

    40 V

    200 mA

    300MHz, 250MHz

    300 MHz

    300 mV

    40

    500 mW

  • NST3904DXV6T1G

    SOT-563, SOT-666

    NPN

    40 V

    200 mA

    -

    300 MHz

    300 mV

    40

    500 mW

  • NST3904DXV6T5G

    SOT-563, SOT-666

    NPN

    40 V

    200 mA

    -

    300 MHz

    300 mV

    40

    500 mW

  • NST3904DXV6T5

    SOT-563, SOT-666

    NPN

    40 V

    200 mA

    -

    300 MHz

    300 mV

    40

    500 mW