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BC847BPDW1T3G

型号:

BC847BPDW1T3G

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

描述:

ON Semi BC847BPDW1T3G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 6-Pin SOT-363

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 45V

  • 2

  • 150

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2002

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    380mW

  • 频率

    100MHz

  • 基本部件号

    BC847BPD

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    380mW

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    1mm

  • 长度

    2.2mm

  • 宽度

    1.35mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Polarity
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Collector Emitter Saturation Voltage
    hFE Min
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
  • BC847BPDW1T3G

    BC847BPDW1T3G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN, PNP

    45 V

    100 mA

    600 mV

    150

    380 mW

    380 mW

  • BC847BDW1T1G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN

    45 V

    100 mA

    600 mV

    420

    380 mW

    380 mW

  • BC847BDW1T3G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN

    45 V

    100 mA

    600 mV

    200

    380 mW

    380 mW

  • BC847CDW1T1G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN

    45 V

    100 mA

    600 mV

    200

    380 mW

    380 mW

BC847BPDW1T3G PDF数据手册