![MUN5112DW1T1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smf05ct1g-6409.jpg)
MUN5112DW1T1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
50V
2
60
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
250mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MUN51**DW1T
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
250mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)
22k Ω
连续集电极电流
-100mA
电阻-发射极基极(R2)
22k Ω
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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-
MUN5112DW1T1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PNP
50 V
100 mA
60
250 mW
250 mW
500nA
-
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PNP
50 V
100 mA
35
250 mW
250 mW
500nA
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PNP
50 V
100 mA
80
250 mW
250 mW
500nA
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PNP
50 V
100 mA
80
250 mW
250 mW
500nA
MUN5112DW1T1G PDF数据手册
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