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MUN5212DW1T1G

型号:

MUN5212DW1T1G

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

描述:

BRT TRANSISTOR, 50V, 22K/22KOHM, SOT-363

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 触点镀层

    Tin

  • 引脚数

    6

  • 60

  • 2

  • 50V

  • 已出版

    2005

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 最大功率耗散

    250mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    100mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MUN52**DW1T

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    187mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    Halogen Free

  • 晶体管类型

    2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    60 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 300μA, 10mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 电阻基(R1)

    22k Ω

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    22k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 辐射硬化

    No

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Polarity
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    hFE Min
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Current - Collector Cutoff (Max)
  • MUN5212DW1T1G

    MUN5212DW1T1G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN

    50 V

    100 mA

    60

    250 mW

    187 mW

    500nA

  • MUN5233DW1T1G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN

    50 V

    100 mA

    35

    250 mW

    187 mW

    500nA

  • MUN5211DW1T1G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN

    50 V

    100 mA

    80

    250 mW

    187 mW

    500nA

  • MUN5330DW1T1G

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    NPN, PNP

    50 V

    100 mA

    3

    250 mW

    187 mW

    500nA