![MUN5212DW1T1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-smf05ct1g-6409.jpg)
MUN5212DW1T1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
BRT TRANSISTOR, 50V, 22K/22KOHM, SOT-363
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
表面安装
YES
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
6
60
2
50V
已出版
2005
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
250mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MUN52**DW1T
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
187mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
22k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
22k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CasePolarityCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrenthFE MinMax Power DissipationPower DissipationCurrent - Collector Cutoff (Max)
-
MUN5212DW1T1G
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN
50 V
100 mA
60
250 mW
187 mW
500nA
-
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN
50 V
100 mA
35
250 mW
187 mW
500nA
-
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN
50 V
100 mA
80
250 mW
187 mW
500nA
-
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NPN, PNP
50 V
100 mA
3
250 mW
187 mW
500nA
MUN5212DW1T1G PDF数据手册
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