NSBC144EDXV6T1G
SOT-563, SOT-666
Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
50V
2
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
500mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NSBC1*
引脚数量
6
资历状况
Not Qualified
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
357mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
47k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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NSBC144EDXV6T1G
SOT-563, SOT-666
NPN
50 V
100 mA
80
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NSBC144EDXV6T1G PDF数据手册
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