规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
60V
1
100
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
2W
额定电流
-3A
频率
9MHz
基本部件号
KSB1366
元素配置
Single
功率耗散
2W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
9MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
150 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100μA ICBO
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
1V @ 200mA, 2A
转换频率
9MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power Dissipation
KSB1366G
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
60 V
3 A
9 MHz
-500 mV
100
2 W
Through Hole
TO-220-3
60 V
3 A
3 MHz
-1.2 V
10
2 W
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
60 V
3 A
9 MHz
-500 mV
60
25 W
Through Hole
TO-220-3
60 V
3 A
-
-
60
1.5 W
KSB1366G PDF数据手册
- 数据表 :
- 到达声明 :