![KSB1015YTU](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-ffpf60b150dstu-9158.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.27g
晶体管元件材料
SILICON
60V
1
60
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-60V
最大功率耗散
25W
额定电流
-3A
频率
9MHz
基本部件号
KSB1015
元素配置
Single
功率耗散
25W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
9MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 300mA, 3A
转换频率
9MHz
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-7V
高度
15.87mm
长度
10.16mm
宽度
2.54mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentTransition FrequencyCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power Dissipation
-
KSB1015YTU
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
60 V
3 A
9 MHz
-500 mV
60
25 W
-
Through Hole
TO-220-3
55 V
3 A
-
-150 mV
40
25 W
-
Through Hole
TO-220-3
55 V
3 A
-
-150 mV
40
25 W
-
Through Hole
TO-220-3
60 V
3 A
-
-
60
1.5 W
KSB1015YTU PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :