![KSA614O](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
55V
1
40
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电压 - 额定直流
-55V
最大功率耗散
25W
额定电流
-3A
基本部件号
KSA614
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
功率耗散
25W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
50μA ICBO
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
集电极基极电压(VCBO)
-80V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
VCEsat-最大值
0.5 V
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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-
KSA614O
Through Hole
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3 A
-150 mV
40
25 W
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TO-220-3
55 V
3 A
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KSA614O PDF数据手册
- 数据表 :
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