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HUF75645S3ST
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
75A Tc
10V
1
310W Tc
41 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
UltraFET™
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
14mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
100V
终端形式
GULL WING
额定电流
75A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
310W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3790pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
238nC @ 20V
上升时间
117ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
97 ns
连续放电电流(ID)
75mA
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
栅源电压
4 V
高度
11.33mm
长度
10.67mm
宽度
4.83mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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3 V
20 V
300 W
300W (Tc)
HUF75645S3ST PDF数据手册
- 数据表 : HUF75645P3, HUF75645S3S HUF75645S3ST-ON-Semiconductor-datasheet-81100659.pdf HUF75645S3ST-Fairchild-datasheet-66456.pdf HUF75645S3ST-ON-Semiconductor-datasheet-86697371.pdf HUF75645S3ST-ON-Semiconductor-datasheet-81454979.pdf HUF75645S3ST-Fairchild-datasheet-86578.pdf HUF75645S3ST-Fairchild-Semiconductor-datasheet-67300783.pdf
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