![HUF75333P3](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
66A Tc
10V
1
150W Tc
11 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
UltraFET™
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
55V
额定电流
60A
元素配置
Single
功率耗散
150W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16mOhm @ 66A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
85nC @ 20V
上升时间
55ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
66A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
输入电容
1.3nF
漏源电阻
16mOhm
最大rds
16 mΩ
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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-
HUF75333P3
Through Hole
TO-220-3
55V
66 A
66A (Tc)
4 V
16 mΩ
20 V
150 W
150W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
70 A
70A (Tc)
4 V
-
20 V
150 W
150W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
51 A
51A (Tc)
4 V
-
20 V
80 W
80W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
72 A
72A (Tc)
4 V
-
20 V
150 W
150W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
64 A
64A (Tc)
4 V
-
20 V
94 W
130W (Tc)
HUF75333P3 PDF数据手册
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