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HUF75333P3

型号:

HUF75333P3

封装:

TO-220-3

描述:

MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220-3

  • 66A Tc

  • 10V

  • 1

  • 150W Tc

  • 11 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    UltraFET™

  • 已出版

    2002

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    55V

  • 额定电流

    60A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    150W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    16mOhm @ 66A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1300pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    85nC @ 20V

  • 上升时间

    55ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    55V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    25 ns

  • 连续放电电流(ID)

    66A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    55V

  • 输入电容

    1.3nF

  • 漏源电阻

    16mOhm

  • 最大rds

    16 mΩ

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • HUF75333P3

    HUF75333P3

    Through Hole

    TO-220-3

    55V

    66 A

    66A (Tc)

    4 V

    16 mΩ

    20 V

    150 W

    150W (Tc)

  • IRFZ44ZPBF

    Through Hole

    TO-220-3

    -

    70 A

    70A (Tc)

    4 V

    -

    20 V

    150 W

    150W (Tc)

  • IRFZ48NPBF

    Through Hole

    TO-220-3

    -

    51 A

    51A (Tc)

    4 V

    -

    20 V

    80 W

    80W (Tc)

  • RFP70N06

    Through Hole

    TO-220-3

    -

    72 A

    72A (Tc)

    4 V

    -

    20 V

    150 W

    150W (Tc)

  • IRFZ48VPBF

    Through Hole

    TO-220-3

    -

    64 A

    64A (Tc)

    4 V

    -

    20 V

    94 W

    130W (Tc)