FSB649
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
25V
1
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
3A
基本部件号
FSB649
元素配置
Single
功率耗散
500mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
3A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
100 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
600mV @ 300mA, 3A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
25V
频率转换
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
35V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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25 V
800 mA
-
120 MHz
400 mV
40
200 mW
FSB649 PDF数据手册
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