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FQPF9N50T

型号:

FQPF9N50T

封装:

TO-220-3 Full Pack

数据表:

FQPF9N50

描述:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 5.3A Tc

  • 10V

  • 1

  • 50W Tc

  • 55 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    QFET®

  • 已出版

    2000

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    500V

  • 额定电流

    5.3A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    50W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    730m Ω @ 2.65A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1450pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    36nC @ 10V

  • 上升时间

    95ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    60 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5.3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    500V

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    Vgs (Max)
  • FQPF9N50T

    FQPF9N50T

    Through Hole

    TO-220-3 Full Pack

    5.3 A

    5.3A (Tc)

    30 V

    50 W

    50W (Tc)

    ±30V

  • IRFI840GLCPBF

    Through Hole

    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

    6.6 A

    6.6A (Tc)

    30 V

    60 W

    60W (Tc)

    ±30V

  • IRFIB7N50APBF

    Through Hole

    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

    4.5 A

    4.5A (Tc)

    30 V

    40 W

    40W (Tc)

    ±30V

FQPF9N50T PDF数据手册