生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

5.2A Tc

10V

1

45W Tc

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-200V

额定电流

-5.2A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

45W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

690m Ω @ 2.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

110ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

5.2A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.69Ohm

漏源击穿电压

-200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20.8A

雪崩能量等级（Eas）

560 mJ

高度

16.07mm

长度

10.36mm

宽度

4.9mm

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free