工厂交货时间

8 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

15.7A Tc

5V 10V

1

30W Tc

35 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

15.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

资历状况

Not Qualified

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

30W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

55m Ω @ 7.85A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 5V

上升时间

156ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

15.7A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

62.8A

高度

9.19mm

长度

10.16mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

No SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free