生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

155 ns

51W Tc

1

10V

12A Tc

已出版

2007

系列

QFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT SPECIFIED

资历状况

Not Qualified

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

51W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2290pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

85ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

90 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

雪崩能量等级（Eas）

870 mJ

RoHS状态

RoHS Compliant

达到SVHC

No SVHC

无铅

Lead Free