生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

9.4A Tc

10V

1

120W Tc

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

620mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-250V

额定电流

-9.4A

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

120W

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

620m Ω @ 4.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1180pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

150ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

-250V

雪崩能量等级（Eas）

650 mJ

高度

16.3mm

长度

10.67mm

宽度

4.7mm

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free