FQD7N10LTM
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
5.8A Tc
5V 10V
1
2.5W Ta 25W Tc
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
QFET®
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
350mOhm
电压 - 额定直流
100V
终端形式
GULL WING
额定电流
5.8A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
350m Ω @ 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 5V
上升时间
100ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
50 ns
连续放电电流(ID)
5.8A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
雪崩能量等级（Eas）
50 mJ
高度
2.3mm
长度
6.6mm
宽度
6.1mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
5.8 A
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10A (Tc)
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20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 40W (Tc)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
7.7 A
7.7A (Tc)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 42W (Tc)
FQD7N10LTM PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :