FQD19N10TM
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
260.37mg
晶体管元件材料
SILICON
15.6A Tc
10V
1
2.5W Ta 50W Tc
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
QFET®
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
100MOhm
电压 - 额定直流
100V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
15.6A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
7.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 7.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
150ns
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
65 ns
连续放电电流(ID)
15.6A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
62.4A
雪崩能量等级（Eas）
220 mJ
高度
2.3mm
长度
6.6mm
宽度
6.1mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FQD19N10TM PDF数据手册
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- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :