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首页 / 分立半导体产品 / 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 / FQB30N06LTM /
FQB30N06LTM

FQB30N06LTM

型号:

FQB30N06LTM

品牌:

ON Semiconductor

封装:

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

数据表:

FQB30N06L

描述:

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)

  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.31247g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 32A Tc

  • 5V 10V

  • 1

  • 3.75W Ta 79W Tc

  • 60 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    QFET®

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    35mOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 终端形式

    GULL WING

  • 额定电流

    32A

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    3.75W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    35m Ω @ 16A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1040pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    20nC @ 5V

  • 上升时间

    210ns

  • Vgs（最大值）

    ±20V

  • 下降时间（典型值）

    110 ns

  • 连续放电电流(ID)

    32A

  • 阈值电压

    2.5V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 高度

    4.83mm

  • 长度

    10.67mm

  • 宽度

    9.65mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
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    Continuous Drain Current (ID)
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    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
  • FQB30N06LTM

    FQB30N06LTM

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    32 A

    32A (Tc)

    2.5 V

    20 V

    3.75 W

    3.75W (Ta), 79W (Tc)

  • IRLZ34NSTRLPBF
    IRLZ34NSTRLPBF

    Infineon Technologies

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    30 A

    30A (Tc)

    2 V

    16 V

    68 W

    3.8W (Ta), 68W (Tc)

  • STB36NF06LT4
    STB36NF06LT4

    STMicroelectronics

    Surface Mount

    TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

    19 A

    38A (Tc)

    3 V

    20 V

    80 W

    80W (Tc)

  • STB45NF06T4
    STB45NF06T4

    STMicroelectronics

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    30 A

    30A (Tc)

    1 V

    18 V

    70 W

    70W (Tc)

  • NTB30N06G
    NTB30N06G

    ON Semiconductor

    Surface Mount

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    27 A

    27A (Ta)

    -

    20 V

    88.2 W

    88.2W (Tc)