![FDV304P](https://static.esinoelec.com/200dimg/semtechcorporation-sdc15tct-7219.jpg)
FDV304P
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ON SEMICONDUCTOR - FDV304P - Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
工厂交货时间
10 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
460mA Ta
2.7V 4.5V
1
350mW Ta
55 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.5Ohm
电压 - 额定直流
-25V
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-460mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
电压
25V
元素配置
Single
电流
46A
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
350mW
接通延迟时间
7 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1 Ω @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
63pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.5nC @ 4.5V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
460mA
阈值电压
-860mV
栅极至源极电压(Vgs)
-8V
漏源击穿电压
-25V
双电源电压
-25V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-860 mV
高度
1.11mm
长度
2.92mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
FDV304P
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
460 mA
460mA (Ta)
-860 mV
-8 V
350 mW
350mW (Ta)
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120mA (Ta)
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630mA (Ta)
1.6 V
8 V
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
680 mA
680mA (Ta)
800 mV
8 V
350 mW
350mW (Ta)
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
220 mA
220mA (Ta)
-
8 V
350 mW
350mW (Ta)
FDV304P PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :