![FDP18N50](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
FDP18N50
TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
18A Tc
10V
1
235W Tc
95 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
UniFET™
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
265MOhm
附加功能
FAST SWITCHING
电压 - 额定直流
500V
额定电流
18A
电压
500V
元素配置
Single
电流
18A
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
235W
接通延迟时间
55 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
265m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2860pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 10V
上升时间
165ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
90 ns
连续放电电流(ID)
18A
阈值电压
5V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
雪崩能量等级(Eas)
945 mJ
高度
9.4mm
长度
10.1mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
FDP18N50
Through Hole
TO-220-3
18 A
18A (Tc)
5 V
30 V
235 W
235W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
20 A
20A (Tc)
-
30 V
38.5 W
38.5W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
20 A
20A (Tc)
5 V
30 V
250 W
250W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
16 A
16A (Tc)
5 V
30 V
52 W
38.5W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
14 A
14A (Tc)
4 V
30 V
250 W
250W (Tc)
FDP18N50 PDF数据手册
- 数据表 : FDP18N50, FDPF18N50 TO220B03 Pkg Drawing FDP18N50-ON-Semiconductor-datasheet-80905826.pdf FDP18N50-ON-Semiconductor-datasheet-12526455.pdf FDP18N50-ON-Semiconductor-datasheet-22148874.pdf FDP18N50-ON-Semiconductor-datasheet-86688565.pdf FDP18N50-Fairchild-datasheet-125940.pdf FDP18N50-Fairchild-Semiconductor-datasheet-21199311.pdf FDP18N50-Fairchild-Semiconductor-datasheet-10738663.pdf FDP18N50-Fairchild-Semiconductor-datasheet-68367962.pdf
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :